nutizie

A tecnulugia di tagliu di u filu di diamanti hè ancu cunnisciuta cum'è tecnulugia di tagliu abrasivu di cunsulidazione. Hè l'usu di u metudu di galvanoplastia o di ligame di resina di l'abrasivu di diamanti cunsulidatu nantu à a superficia di u filu d'acciaiu, u filu di diamanti agisce direttamente nantu à a superficia di una barra di silicone o di un lingotto di silicone per pruduce a macinazione, per ottene l'effettu di tagliu. U tagliu di u filu di diamanti hà e caratteristiche di velocità di tagliu rapida, alta precisione di tagliu è bassa perdita di materiale.

Attualmente, u mercatu di cristalli singuli per u tagliu di wafer di siliciu monocristallinu cù filu di diamanti hè statu cumpletamente accettatu, ma hà ancu scontru in u prucessu di prumuzione, frà i quali u biancu vellutatu hè u prublema u più cumunu. In vista di questu, questu articulu si cuncentra nantu à cumu prevene u prublema di u tagliu di wafer di siliciu monocristallinu cù filu di diamanti.

U prucessu di pulizia di u tagliu di u wafer di siliciu monocristallinu cù filu di diamanti hè di caccià u wafer di siliciu tagliatu da a macchina utensile cù sega à filu da a piastra di resina, caccià a striscia di gomma è pulisce u wafer di siliciu. L'equipaggiu di pulizia hè principalmente una macchina di pre-pulizia (macchina di sgommatura) è una macchina di pulizia. U principale prucessu di pulizia di a macchina di pre-pulizia hè: alimentazione-spruzzatura-spruzzatura-pulizia à ultrasoni-sgommatura-risciacquu cù acqua pulita-sottoalimentazione. U principale prucessu di pulizia di a macchina di pulizia hè: alimentazione-risciacquu cù acqua pura-risciacquu cù acqua pura-lavaggio alcalinu-lavaggio alcalinu-risciacquu cù acqua pura-risciacquu cù acqua pura-pre-disidratazione (sollevamento lentu)-asciugatura-alimentazione.

U principiu di a fabricazione di vellutu monocristallinu

A fetta di siliciu monocristallina hè a caratteristica di a currusione anisotropica di a fetta di siliciu monocristallina. U principiu di reazione hè a seguente equazione di reazione chimica:

Si + 2NaOH + H2O = Na2SiO3 + 2H2↑

In sostanza, u prucessu di furmazione di u suede hè: una suluzione di NaOH per una diversa velocità di corrosione di diverse superfici di cristallu, (100) velocità di corrosione di a superficia chè (111), dunque (100) à u wafer di siliciu monocristallinu dopu a corrosione anisotropica, eventualmente furmatu nantu à a superficia per (111) conu à quattru lati, vale à dì a struttura "piramidale" (cum'è mostratu in a figura 1). Dopu chì a struttura hè furmata, quandu a luce hè incidente nantu à a pendenza di a piramide à un certu Angulu, a luce serà riflessa à a pendenza à un altru Angulu, furmendu un assorbimentu secundariu o più, riducendu cusì a riflettività nantu à a superficia di u wafer di siliciu, vale à dì, l'effettu di trappula di luce (vede Figura 2). Più a dimensione è l'uniformità di a struttura "piramidale", più evidente hè l'effettu di trappula, è più bassa hè l'emissione superficiale di u wafer di siliciu.

Figura 1: Micromorfologia di u wafer di siliciu monocristallinu dopu a pruduzzione di alcali

Figura 2: U principiu di a trappula di luce di a struttura "piramidale"

Analisi di u sbiancamentu di cristalli singuli

Cù u microscopiu elettronicu à scansione nant'à a cialda di siliciu bianca, hè statu trovu chì a microstruttura piramidale di a cialda bianca in a zona ùn era micca furmata, è a superficia pareva avè un stratu di residui "cerosi", mentre chì a struttura piramidale di u suede in a zona bianca di a listessa cialda di siliciu era furmata megliu (vede a Figura 3). S'ellu ci sò residui nant'à a superficia di a cialda di siliciu monocristallinu, a superficia avarà una dimensione di struttura "piramidale" di zona residuale è una generazione è un effettu di uniformità di a zona nurmale sò insufficiente, risultendu in una riflettività superficiale di vellutu residuale più alta di a zona nurmale, a zona cù alta riflettività paragunata à a zona nurmale in u visuale riflessa cum'è bianca. Cum'è si pò vede da a forma di distribuzione di a zona bianca, ùn hè micca una forma regulare o regulare in una grande zona, ma solu in zone lucali. Duveria esse chì l'inquinanti lucali nant'à a superficia di a cialda di siliciu ùn sò micca stati puliti, o a situazione di a superficia di a cialda di siliciu hè causata da inquinamentu secundariu.

Figura 3: Paragone di e differenze regiunale di microstruttura in i wafer di siliciu biancu vellutatu

A superficia di a fetta di siliciu chì taglia u filu di diamanti hè più liscia è u dannu hè più chjucu (cum'è mostratu in a Figura 4). In paragone cù a fetta di siliciu di malta, a velocità di reazione di l'alcali è di a superficia di a fetta di siliciu chì taglia u filu di diamanti hè più lenta chè quella di a fetta di siliciu monocristallina chì taglia a malta, dunque l'influenza di i residui di a superficia nantu à l'effettu vellutatu hè più evidente.

Figura 4: (A) Micrografia di superficia di wafer di siliciu tagliatu cù malta (B) micrografia di superficia di wafer di siliciu tagliatu cù filu di diamanti

A principale fonte residuale di superficia di wafer di silicone tagliatu cù filu di diamanti

(1) Refrigerante: i cumpunenti principali di u refrigerante per u tagliu di u filu di diamanti sò tensioattivi, disperdenti, anti-diffusione è acqua è altri cumpunenti. U liquidu di tagliu cù prestazioni eccellenti hà una bona sospensione, dispersione è una capacità di pulizia faciule. I tensioattivi anu di solitu migliori proprietà idrofile, chì sò facili da pulisce in u prucessu di pulizia di u wafer di silicone. L'agitazione è a circulazione cuntinua di questi additivi in ​​l'acqua pruduceranu un gran numeru di schiuma, risultendu in a diminuzione di u flussu di refrigerante, affettendu e prestazioni di raffreddamentu, è i serii prublemi di schiuma è ancu di traboccamentu di schiuma, chì affetteranu seriamente l'usu. Dunque, u refrigerante hè di solitu adupratu cù l'agente anti-schiuma. Per assicurà e prestazioni anti-schiuma, u silicone è u polietere tradiziunali sò di solitu scarsamente idrofili. U solvente in acqua hè assai faciule da adsorbe è ferma nantu à a superficia di u wafer di silicone in a pulizia successiva, risultendu in u prublema di macchie bianche. È ùn hè micca bè cumpatibile cù i cumpunenti principali di u refrigerante, dunque, deve esse fattu in dui cumpunenti, i cumpunenti principali è l'agenti antischiuma sò stati aghjunti in acqua, in u prucessu d'usu, secondu a situazione di schiuma, ùn si pò micca cuntrullà quantitativamente l'usu è u dosaggio di l'agenti antischiuma, pò facilmente permette una sobredose di agenti antischiuma, purtendu à un aumentu di i residui di a superficia di u wafer di silicone, hè ancu più inconveniente da operà, tuttavia, per via di u bassu prezzu di e materie prime è di e materie prime di l'agente antischiuma, dunque, a maiò parte di i refrigeranti domestichi utilizanu tutti stu sistema di formula; Un altru refrigerante usa un novu agente antischiuma, pò esse bè cumpatibile cù i cumpunenti principali, senza aggiunte, pò cuntrullà efficacemente è quantitativamente a so quantità, pò impedisce efficacemente l'usu eccessivu, l'esercizii sò ancu assai convenienti da fà, cù u prucessu di pulizia currettu, i so residui ponu esse cuntrullati à livelli assai bassi, in Giappone è uni pochi di pruduttori domestichi aduttanu stu sistema di formula, tuttavia, per via di u so altu costu di e materie prime, u so vantaghju di prezzu ùn hè micca evidente.

(2) Versione cù colla è resina: in a fase più avanzata di u prucessu di tagliu di u filu di diamanti, a cialda di silicone vicinu à l'estremità entrante hè stata tagliata in anticipu, a cialda di silicone à l'estremità di uscita ùn hè ancu tagliata, u filu di diamanti tagliatu prima hà cuminciatu à taglià u stratu di gomma è a piastra di resina, postu chì a colla di a barra di silicone è u pannellu di resina sò tramindui prudutti di resina epossidica, u so puntu di rammollimentu hè basicamente trà 55 è 95 ℃, se u puntu di rammollimentu di u stratu di gomma o di a piastra di resina hè bassu, pò facilmente riscaldà si durante u prucessu di tagliu è fà chì diventi molle è si scioglie, attaccatu à u filu d'acciaiu è à a superficia di a cialda di silicone, causa a diminuzione di a capacità di tagliu di a linea di diamanti, o e cialde di silicone sò ricevute è macchiate cù resina, una volta attaccate, hè assai difficiule da lavà, tale contaminazione si verifica principalmente vicinu à u bordu di a cialda di silicone.

(3) polvere di silicone: in u prucessu di tagliu di u filu di diamanti si pruducerà assai polvere di silicone, cù u tagliu, u cuntenutu di polvere di refrigerante di malta serà sempre più altu, quandu a polvere hè abbastanza grande, aderisce à a superficia di u silicone, è u tagliu di u filu di diamanti di a dimensione è a dimensione di a polvere di silicone porta à a so adsorbenza più faciule nantu à a superficia di u silicone, rendendu difficiule a pulizia. Dunque, assicuratevi l'aghjurnamentu è a qualità di u refrigerante è riduce u cuntenutu di polvere in u refrigerante.

(4) agente di pulizia: l'usu attuale di i pruduttori di taglio di filu di diamanti utilizeghja soprattuttu u tagliu di malta à u listessu tempu, utilizanu soprattuttu u prelavaggio di u tagliu di malta, u prucessu di pulizia è l'agente di pulizia, ecc., a tecnulugia di taglio di filu di diamanti unicu da u mecanismu di taglio, formanu un inseme cumpletu di linea, u refrigerante è u taglio di malta anu una grande differenza, dunque u prucessu di pulizia currispundente, a dosa di l'agente di pulizia, a formula, ecc. devenu esse per u taglio di filu di diamanti fà l'aghjustamentu currispundente. L'agente di pulizia hè un aspettu impurtante, u tensioattivu di a formula originale di l'agente di pulizia, l'alcalinità ùn hè micca adatta per a pulizia di u wafer di silicone di taglio di filu di diamanti, deve esse per a superficia di u wafer di silicone di filu di diamanti, a cumpusizione è i residui di a superficia di l'agente di pulizia miratu, è piglià cù u prucessu di pulizia. Cum'è mintuvatu sopra, a cumpusizione di l'agente antischiuma ùn hè micca necessaria in u taglio di malta.

(5) Acqua: u tagliu di u filu di diamanti, u prelavaggio è a pulizia di l'acqua di traboccu cuntene impurità, pò esse adsorbita à a superficia di a cialda di silicone.

Riduce u prublema di fà chì i capelli di vellutu parenu bianchi suggerimenti

(1) Per aduprà u refrigerante cù una bona dispersione, è u refrigerante hè necessariu aduprà l'agente antischiuma à bassu residuu per riduce i residui di i cumpunenti di u refrigerante nantu à a superficia di a wafer di silicone;

(2) Aduprate una colla è una piastra di resina adatta per riduce l'inquinamentu di e cialde di silicone;

(3) U refrigerante hè diluitu cù acqua pura per assicurà chì ùn ci sia micca impurità residuali facili in l'acqua aduprata;

(4) Per a superficia di a cialda di silicone tagliata cù filu di diamanti, aduprate un agente di pulizia più adattatu per l'attività è l'effettu di pulizia;

(5) Aduprate u sistema di ricuperazione in linea di refrigerante di linea di diamanti per riduce u cuntenutu di polvere di siliciu in u prucessu di tagliu, in modu da cuntrullà efficacemente i residui di polvere di siliciu nantu à a superficia di a cialda di siliciu. À u listessu tempu, pò ancu aumentà u miglioramentu di a temperatura di l'acqua, u flussu è u tempu in u prelavaggio, per assicurà chì a polvere di siliciu sia lavata in tempu.

(6) Una volta chì a cialda di silicone hè posta nantu à a tavula di pulizia, deve esse trattata immediatamente, è mantene a cialda di silicone bagnata durante tuttu u prucessu di pulizia.

(7) A cialda di siliciu mantene a superficia bagnata durante u prucessu di sgommatura, è ùn pò micca asciugà naturalmente. (8) In u prucessu di pulizia di a cialda di siliciu, u tempu espostu à l'aria pò esse riduttu u più pussibule per impedisce a pruduzzione di fiori nantu à a superficia di a cialda di siliciu.

(9) U persunale di pulizia ùn deve micca cuntattà direttamente a superficia di a cialda di silicone durante tuttu u prucessu di pulizia, è deve purtà guanti di gomma, per ùn pruduce impronte digitali.

(10) In a riferenza [2], l'estremità di a batteria usa u prucessu di pulizia di perossidu d'idrogenu H2O2 + alcali NaOH secondu u rapportu di vulume di 1:26 (soluzione 3% NaOH), chì pò riduce efficacemente l'apparizione di u prublema. U so principiu hè simile à a soluzione di pulizia SC1 (comunemente cunnisciuta cum'è liquidu 1) di una cialda di siliciu semiconduttore. U so mecanismu principale: u film d'ossidazione nantu à a superficia di a cialda di siliciu hè furmatu da l'ossidazione di H2O2, chì hè currusa da NaOH, è l'ossidazione è a currusione si verificanu ripetutamente. Dunque, e particelle attaccate à a polvere di siliciu, resina, metallu, ecc.) cascanu ancu in u liquidu di pulizia cù u stratu di currusione; per via di l'ossidazione di H2O2, a materia urganica nantu à a superficia di a cialda hè decomposta in CO2, H2O è eliminata. Stu prucessu di pulizia hè statu utilizatu da i pruduttori di cialda di siliciu per trattà a pulizia di u tagliu di filu di diamanti di cialda di siliciu monocristallinu, cialda di siliciu in u paese è Taiwan è altri pruduttori di batterie utilizanu in batch lagnanze di prublemi di biancu vellutatu. Ci sò ancu i pruduttori di batterie chì anu utilizatu un prucessu simile di pre-pulizia di vellutu, cuntrullendu ancu efficacemente l'aspettu di biancu vellutatu. Si pò vede chì stu prucessu di pulizia hè aghjuntu à u prucessu di pulizia di e wafer di silicone per rimuovere i residui di wafer di silicone in modu da risolve efficacemente u prublema di i capelli bianchi à l'estremità di a batteria.

cunclusione

Attualmente, u tagliu di u filu di diamanti hè diventatu a principale tecnulugia di trasfurmazione in u campu di u tagliu di cristalli singuli, ma in u prucessu di prumove u prublema di fà u vellutu biancu hà preoccupatu i pruduttori di wafer di silicone è di batterie, purtendu i pruduttori di batterie à taglià u filu di diamanti di wafer di silicone cù qualchì resistenza. Attraversu l'analisi di paragone di a zona bianca, hè principalmente causata da i residui nantu à a superficia di u wafer di silicone. Per prevene megliu u prublema di u wafer di silicone in a cellula, questu articulu analizeghja e pussibili fonti di inquinamentu superficiale di u wafer di silicone, è ancu i suggerimenti è e misure di miglioramentu in a pruduzzione. Sicondu u numeru, a regione è a forma di e macchie bianche, e cause ponu esse analizate è migliurate. Hè particularmente cunsigliatu di utilizà u prucessu di pulizia cù perossidu d'idrogenu + alcali. L'esperienza riescita hà dimustratu chì pò prevene efficacemente u prublema di u tagliu di u filu di diamanti di wafer di silicone per fà u vellutu sbiancante, per a riferenza di l'esperti generali di l'industria è di i pruduttori.